化合物半導體SiC、GaN晶圓檢查裝置

列真株式會社自創業以來，秉承“挑戰"、“創造"、“誠實"的經營理念，為顧客提供可靠、可信的產品和服務。運用激光掃描技術，專門製造、銷售半導體材料表麵及內部檢查、石英玻璃表麵檢查等檢查裝置。其激光檢測技術可同時收集激光的反射光，透射光以及共聚焦，可一次性檢查第三代半導體SIC等材料表麵，背麵和內部的缺陷，可探測最小缺陷為100納米，主要用於半導體光罩、LCD大型光罩的石英玻璃表麵、內部、背麵的缺陷檢查

特征：

• SiC單晶晶圓和EPI晶圓都可以檢查。

• 不僅是表麵缺陷，內部缺陷和背麵缺陷也同時檢查。

• 有助於缺陷分析的4種Review圖像。

• “AI Classify"進行缺陷分類、好壞判定。

• 免維護。

• 世界FIRST用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合檢查裝置。

• 能檢出至今為止檢查不出的缺陷。

• 
  

規格：

• 檢查激光：405nm 200mW

• 檢查時間：200sec（尺寸：4英寸）

• 檢查對象：2英寸、3英寸、4英寸、6英寸

• 設備尺寸：WxDxH＝450x500x730mm

• 使用電源：AC100V~200V 10A

• 
  

應用:

SiC、GaN

半導體光罩（石英玻璃與塗層）

石英Wafer   Si Wafer

HDD Disk LT Wafer

藍寶石襯底

EUV光罩

光罩防塵膜

可全麵檢測表麵、內部、背麵的缺陷。

檢出缺陷：顆粒、劃痕、結晶缺陷。

外延缺陷                         襯底缺陷      

胡蘿卜型缺陷                  六方空洞缺陷

慧星缺陷                         層錯缺陷

三角缺陷                         微管缺陷

邊緣缺陷